具有稳定的中间连接器之串联式有机发光二极体（ＯＬＥＤ）

摘要

本发明提供一种串联式OLED，其包括：一阳极；一阴极；及安置于该阳极与该阴极之间的复数个有机电致发光单元，其中每个有机电致发光单元均包括至少一发光层；及一安置于每个邻近的有机电致发光单元之间的中间连接器，其中该中间连接器包括至少一具有不小于4.0 eV之功函数的高功函数金属层及一金属化合物层，其中该中间连接器具有高于每平方100 kΩ之薄层电阻，且其中该高功函数金属层可改良该OLED之操作稳定性。

主权项

一种串联式OLED，其包含：a)一阳极；b)一阴极；c)安置于该阳极与该阴极之间的复数个有机电致发光单元，其中每个有机电致发光单元均包括至少一发光层；及d)一安置于每个邻近的有机电致发光单元之间的中间连接器，其中该中间连接器包括至少一具有不小于4.0 eV之功函数的高功函数金属层及一金属化合物层，其中该中间连接器具有高于每平方100 kΩ的薄层电阻，其中该中间连接器未被图案化，且其中该高功函数金属层改良该OLED之该操作稳定性。如请求项1之串联式OLED，其中每个有机电致发光单元均包括至少一电洞传递层、一发光层及一电子传递层，且其中每个中间连接器均包括一具有小于4.0 eV之功函数的安置于邻近该有机电致发光单元中之该电子传递层的低功函数金属层、一具有不小于4.0 eV之功函数的高功函数金属层及一金属化合物层，其中该中间连接器具有高于每平方100 kΩ的薄层电阻，且其中该高功函数金属层改良该OLED之该操作稳定性。如请求项1之串联式OLED，其中每个有机电致发光单元均包括至少一电洞传递层、一发光层及一电子传递层，且其中每个中间连接器均包括一安置于邻近该有机电致发光单元中之该电子传递层的n型半导体层、一具有不小于4.0 eV之功函数的高功函数金属层及一金属化合物层，其中该中间连接器具有高于每平方100 kΩ的薄层电阻，且其中该高功函数金属层改良该OLED之该操作稳定性。如请求项1之串联式OLED，其中每个有机电致发光单元均包括至少一电洞传递层、一发光层及一电子传递层，且其中该电子传递层为一n型掺杂有机层，且其中每个中间连接器均包括一具有不小于4.0 eV之功函数的安置于邻近该有机电致发光单元之该电子传递层的高功函数金属层及一金属化合物层，其中该中间连接器具有高于每平方100 kΩ的薄层电阻，且其中该高功函数金属层改良该OLED之该操作稳定性。如请求项1之串联式OLED，其中该中间连接器中之该高功函数金属层的厚度在自0.1 nm至5.0 nm之范围中。如请求项1之串联式OLED，其中该中间连接器中之该高功函数金属层的厚度在自0.2 nm至2.0 nm之范围中。如请求项1之串联式OLED，其中该中间连接器中之该金属化合物层的厚度在自0.5 nm至20 nm之范围中。如请求项1之串联式OLED，其中该中间连接器中之该金属化合物层的厚度在自1.0 nm至5 nm之范围中。如请求项2之串联式OLED，其中该中间连接器中之该低功函数金属层的厚度在自0.1 nm至10 nm之范围中。如请求项2之串联式OLED，其中该中间连接器中之该低功函数金属层的厚度在自0.2 nm至2.0 nm之范围中。如请求项3之串联式OLED，其中该中间连接器中之该n型半导体层的厚度在自0.5 nm至20 nm之范围中。如请求项3之串联式OLED，其中该中间连接器中之该n型半导体层的厚度在自1.0 nm至5.0 nm之范围中。如请求项1之串联式OLED，其中该中间连接器在光谱之可见区域中具有至少75%光学透射。如请求项1之串联式OLED，其中该高功函数金属层包括Ti、Zr、Ti、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Al、In或Sn。如请求项1之串联式OLED，其中该高功函数金属层包括Ag、Al、Cu、Au、Zn、In或Sn。如请求项1之串联式OLED，其中该高功函数金属层包括Ag或Al。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、锰、铁、钌、铑、铱、镍、钯、铂、铜、锌、矽或锗或其组合之化学计量氧化物或非化学计量氧化物。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、锰、铁、钌、铑、铱、镍、钯、铂、铜、矽或锗或其组合之化学计量硫化物或非化学计量硫化物。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、锰、铁、钌、铑、铱、镍、钯、铂、铜、矽或锗或其组合之化学计量硒化物或非化学计量硒化物。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、锰、铁、钌、铑、铱、镍、钯、铂、铜、矽或锗或其组合之化学计量碲化物或非化学计量碲化物。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、锰、铁、钌、铑、铱、镍、钯、铂、铜、锌、镓、矽或锗或其组合之化学计量氮化物或非化学计量氮化物。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、锰、铁、钌、铑、铱、镍、钯、铂、铜、锌、铝、矽或锗或其组合之化学计量碳化物或非化学计量碳化物。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自MoO3、NiMoO4、CuMoO4、WO3、ZnTe、Al4C3、AlF3、B2S3、CuS、GaP、InP或SnTe。如请求项1之串联式OLED，其中该金属化合物层系选自MoO3、NiMoO4、CuMoO4或WO3。如请求项2之串联式OLED，其中该低功函数金属层包括Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy或Yb。如请求项2之串联式OLED，其中该低功函数金属层包括Li、Na、Cs、Ca、Ba或Yb。如请求项3之串联式OLED，其中该n型半导体层包括ZnSe、ZnS、ZnSSe、SnSe、SnS、SnSSe、LaCuO3或La4Ru6O19。如请求项3之串联式OLED，其中该n型半导体层包括ZnSe或ZnS。