发明名称 薄膜状电路连接材料及电路构件之连接构造
摘要 本发明之薄膜状电路连接材料,其系将于第1电路基板之主面上形成有第1电路电极之第1电路构件与于第2电路基板之主面上形成有第2电路电极之第2电路构件,以使第1及第2电路电极呈对向状态进行电连接用,其特征系含有薄膜形成材料、自由基聚合性化合物、经加热产生游离自由基之自由基聚合起始剂及含异氰酸酯基化合物,含异氰酸酯基化合物之含有比例,相对于薄膜形成材料与自由基聚合性化合物之合计100质量份,为0.09~5质量份。
申请公布号 TWI378745 申请公布日期 2012.12.01
申请号 TW097117009 申请日期 2008.05.08
申请人 日立化成工业股份有限公司 发明人 望月日臣;有福征宏;小岛和良;小林宏治
分类号 H05K1/14 主分类号 H05K1/14
代理机构 代理人 李世章 台北市中山区松江路148号11楼;黄瑞贤 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种薄膜状电路连接材料,其系将于第1电路基板之主面上形成有第1电路电极之第1电路构件与于第2电路基板之主面上形成有第2电路电极之第2电路构件,以使第1及第2电路电极呈对向状态进行电连接用,其特征系含有薄膜形成材料、自由基聚合性化合物、经加热产生游离自由基之自由基聚合起始剂及单异氰酸酯化合物,该单异氰酸酯化合物之含有比例,相对于该薄膜形成材料与该自由基聚合性化合物之合计100质量份,为0.09~5质量份。如申请专利范围第1项之薄膜状电路连接材料,其中更含有含氟有机化合物。如申请专利范围第1或2项之薄膜状电路连接材料,其中该薄膜形成材料系含具有重量平均分子量10000以上之尿烷键结的有机化合物。如申请专利范围第1或2项之薄膜状电路连接材料,其中更含有导电性粒子。如申请专利范围第3项之薄膜状电路连接材料,其中更含有导电性粒子。一种电路构件之连接构造,其系具有于第1电路基板之主面上形成有第1电路电极之第1电路构件,与被设置成于第2电路基板之主面上形成有第2电路电极、且该第2电路电极与该第1电路电极相对设置之第2电路构件,以及设置于该第1电路基板及该第2电路基板间,连接该第1电路构件与该第2电路构件,使该第1及该第2电路电极电连接之电路连接部,其特征为该电路连接部为申请专利范围第1~5项中任1项之薄膜状电路连接材料之硬化物。如申请专利范围第6项之电路构件之连接构造,其中该第1及该第2之电路电极中至少1者之表面由含从金、银、锡、白金族之金属及铟-锡氧化物所成群中选出之至少1种物质之材料所成。如申请专利范围第6或7项之电路构件之连接构造,其中该第1及该第2之电路基板中至少1者为由含从聚对苯二甲酸乙二酯、聚醚碸、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚醯亚胺树脂及玻璃所成群中选出之至少1种之材料所成之基板。如申请专利范围第6或7项之电路构件之连接构造,其中该第1及该第2之电路构件中至少1者与该电路连接部间形成含由氮化矽、矽酮树脂、聚醯亚胺树脂及丙烯酸树脂所成群中选出之至少1种材料之层。如申请专利范围第8项之电路构件之连接构造,其中该第1及该第2之电路构件中至少1者与该电路连接部间形成含由氮化矽、矽酮树脂、聚醯亚胺树脂及丙烯酸树脂所成群中选出之至少1种材料之层。
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