发明名称 多晶片堆叠之封装结构
摘要 一种多晶片堆叠之封装结构,包括:导线架,系由复数个内引脚与复数个外引脚所构成,而内引脚之末端系以一间隔相对排列之,其中于内引脚群之区域,各配置一散热鳍片;第一晶片,固接于导线架之下表面,其主动面上接近区域配置有复数个第一焊垫;数条第一金属导线,用以电性连接第一焊垫及内引脚;第二晶片,固接于导线架之上表面,其主动面上接近区域配置有复数个第二焊垫;一对金属间隔元件,系配置于导线架之散热鳍片之上并与第二晶片之背面接触;复数条第二金属导线,用以电性连接内引脚至第二焊垫;及一封装体。
申请公布号 TWI378547 申请公布日期 2012.12.01
申请号 TW096134359 申请日期 2007.09.14
申请人 南茂科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区研发一路1号;百慕达南茂科技股份有限公司 百慕达 发明人 沈更新;陈煜仁
分类号 H01L23/495 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 陈培道 新竹县竹东镇中兴路4段195号53馆219室;庄婷聿 新竹县竹东镇中兴路4段195号53馆219室
主权项 一种多晶片堆叠之封装结构,包括:一导线架,系由复数个内引脚与复数个外引脚所构成,其各具有一上表面及一下表面,该些内引脚包括有复数个平行排列之第一内引脚群与平行排列之第二内引脚群,且该些第一内引脚群与该些第二内引脚群之末端系以一间隔相对排列之,其中于该些平行排列之第一内引脚群所形成之一范围内的中央区域配置一散热鳍片,于该些平行排列之第二内引脚群所形成之一范围内的中央区域亦配置一散热鳍片,且该等散热鳍片之宽度大于该等内引脚;一第一晶片,固接于该导线架之该些第一内引脚群与该些第二内引脚群之下表面,该第一晶片具有一主动面且于该主动面上接近中央区域配置有复数个第一焊垫,该些第一焊垫是被该些第一内引脚群与该些第二内引脚群之末端间之间隔所曝露;复数条第一金属导线,用以将该第一晶片之该主动面上之该些第一焊垫电性连接至该些第一内引脚群及该些第二内引脚群;一第二晶片,固接于该导线架之上表面,该第二晶片其具有一主动面且于该主动面上接近中央区域配置有复数个第二焊垫;一对金属间隔元件,系配置于该导线架之散热鳍片之上并与该第二晶片之相对该主动面之一背面接触;复数条第二金属导线,用以将该第二晶片之该主动面上之该些第二焊垫电性连接至该些第一内引脚群及该些第二内引脚群之该上表面;及一封装体,用以包覆该第一晶片、该些第一金属导线、该第二晶片、该些第二金属导线、该些第一内引脚群及该些第二内引脚群,且曝露出该复数个外引脚。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该导线架进一步配置有汇流条。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该散热鳍片位于该导线架之外引脚侧呈扇形面。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该金属间隔元件之高度大于该等第一金属导线之最大弧高。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中每一该金属间隔元件可以由复数个锡球堆叠所形成。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中每一该金属间隔元件可以由复数个金属凸块堆叠所形成。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该第二金属导线系使用逆打线方式形成。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该散热鳍片可向封装体侧弯折。如申请专利范围第8项所述之封装结构,其中该散热鳍片弯折后与外引脚形成共平面。如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该散热鳍片可向上弯折呈悬空状态。一种多晶片堆叠之封装结构,包括:一导线架,系由复数个内引脚与复数个外引脚所构成,其各具有一上表面及一下表面,该些内引脚包括有复数个平行排列之第一内引脚群与平行排列之第二内引脚群,且该些第一内引脚群与该些第二内引脚群之末端系以一间隔相对排列之,其中于该些平行排列之第一内引脚群所形成之一范围内的中央区域配置一散热鳍片,于该些平行排列之第二内引脚群所形成之一范围内的中央区域亦配置一散热鳍片,且该等散热鳍片之宽度大于该等内引脚;一第一晶片,固接于该导线架之该些第一内引脚群与该些第二内引脚群之下表面,该第一晶片具有一主动面且于该主动面上接近中央区域配置有复数个第一焊垫,该些第一焊垫是被曝露于该些第一内引脚群与该些第二内引脚群之末端间之间隔所曝露;复数条第一金属导线,用以将该第一晶片之该主动面上之该些第一焊垫电性连接至该些第一内引脚群及该些第二内引脚群;一对金属间隔元件,系配置于该导线架之散热鳍片之上;一第二晶片,其具有一主动面且于该主动面上接近中央区域配置有复数个第二焊垫,并于相对该主动面之背面上配置一黏着层,藉由该黏着层固接于该导线架之上表面,其中该黏着层覆盖该复数条第一金属导线,并且该第二晶片之背面与该对金属间隔元件接触;复数条第二金属导线,用以将该些第一内引脚群及该些第二内引脚群之该上表面电性连接至该第二晶片之该主动面上之该些第二焊垫;及一封装体,用以包覆该第一晶片、该些第一金属导线、该第二晶片、该些第二金属导线、该些第一内引脚群及该些第二内引脚群,且曝露出该复数个外引脚。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中该导线架进一步配置有汇流条。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中该散热鳍片位于该导线架之外引脚侧呈扇形面。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中该金属间隔元件之高度大于该等第一金属导线之最大弧高。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中每一该金属间隔元件可以由复数个锡球堆叠所形成。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中每一该金属间隔元件可以由复数个金属凸块堆叠所形成。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中该第二金属导线系使用逆打线方式形成。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中该散热鳍片可向封装体侧弯折。如申请专利范围第18项所述之封装结构,其中该散热鳍片弯折后与外引脚形成共平面。如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中该散热鳍片可向上弯折呈悬空状态。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路1号;百慕达