发明名称 形成孔洞性材料之方法
摘要 本发明系为一种形成孔洞性材料之方法,系将一具有多孔隙之第一基材及一相容该第一基材之牺牲材混合,使该牺牲材可渗入于第一基材之孔隙内,完成第一成品,再将该第一成品混合一第二基材,并将该第一成品与第二基材加热至牺牲材之汽化温度上,使该第二基材分子产生变化并因黏滞力增加无法进入第一基材之孔隙,且该等牺牲材受热产生汽化逸出该第一基材之孔隙,使第二基材无法渗入该第一基材之孔隙并形成第二成品,以保留第一基材之孔隙内之成份。
申请公布号 TWI378141 申请公布日期 2012.12.01
申请号 TW097117468 申请日期 2008.05.12
申请人 台湾信越矽利光股份有限公司 台北市松山区敦化北路167号11楼D室;国立交通大学 新竹市大学路1001号 发明人 吕志鹏;徐国原;徐幸铃;陈冠宇;洪西宗;高坂信夫
分类号 C09K3/10 主分类号 C09K3/10
代理机构 代理人
主权项 一种形成孔洞性材料之方法,其步骤至少包括:(1)备置一多孔隙之第一基材,该第一基材系为一无机质、一第二基材,该第二基材系为一有机质及一相容该第一基材且不相容于第二基材之牺牲材,该牺牲材可渗入该第一基材之孔隙内且不与第二基材结合者;(2)将该第一基材及液态牺牲材混合使该牺牲材在该牺牲材之溶点温度以上均匀混炼,完整包覆于第一基材之孔隙内,接着并静置于室温下使该第一基材与该牺牲材完成第一成品;(3)再将该第一成品与该第二基材混合,并将该第一成品及第二基材加热至该牺牲材之汽化温度,并配合第二基材所需之交联反应温度条件,此时,该等牺牲材受热汽化逸出该第一基材之孔隙,且该第二基材之因聚合反应所产生高黏度性,使第二基材之分子聚合硬化并且不会回流渗入第一基材之孔隙内,而使该第二基材包覆于该第一基材外侧,且该第一基材之孔隙可以保留,而形成第二成品,该第二成品系包含有第一基材、第二基材,及未完全汽化残留于第一基材孔隙内之牺牲材。依申请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,该无机质系可为含孔隙之二氧化矽(Silica)、氧化铝(Alumina oxide)、铝矽酸盐类(Silica-alumina)、碳掺杂氧化物(Carbon-doped Oxide,CDO)、氟化矽酸盐玻璃(Fluorinated Silicate Glass,FSG)、碳酸钙(calcium carbonate)、磷酸铝(alumina phosphate)、砷酸铝(Alumina arsenate)、锗酸铝(alumina germanate)、黏土(高岭土、蒙脱土、云母粉)、玻璃纤维(GlassFiber)及碳纤维(CarbonFiber)等其中一种以上材质所构成者。依申请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,该有机质系可为环氧树脂(Epoxy resin)、压克力树脂(丙烯酸脂、Acrylate)、聚亚醯胺(polyimide)及PU树脂(聚氨基甲酸酯,Polyurethane)等其中一种以上材质所构成者。依申请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,该牺牲材之材料系选用矽氧烷(Siloxane)及石蜡(Wax)等其中一种以上材质所构成者。依申请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,该牺牲材为(六甲基环三矽氧烷,Hexamethylcyclotrisiloxane),其结构为:@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!依申请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,牺牲材与该第一基材加热至约65℃~100℃并均匀混炼1小时。依申请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,该第一成品混合该第二基材,并配合第二基材之交联反应温度条件,此反应温度条件为由室温以每分钟2℃之升温速度升至140℃~170℃并持温1小时。依请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,于该步骤(2)中,该第一基材及该牺牲材系利用密闭热融法混合。依请专利范围第1项所述之形成孔洞性材料之方法,其中,于该步骤(2)中,该第一基材及该牺牲材系利用溶剂法混合。
地址 台北市松山区敦化北路167号11楼D室;新竹市大学路1001号