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一种电离规，包括阴极，栅极和离子收集极，该栅极设置于阴极与离子收集极之间，阴极，栅极和离子收集极分别间隔绝缘设置，其改良在于，所述栅极包括一奈米碳管结构。如申请专利范围第1项所述之电离规，其中，所述之栅极包括线状结构栅极或层状结构栅极。如申请专利范围第2项所述之电离规，其中，所述之阴极为线状，所述线状结构的栅极以线状阴极为轴心螺旋环绕于该线状阴极的周围。如申请专利范围第2项所述之电离规，其中，所述之阴极为线状，所述层状结构的栅极以线状阴极为轴心形成一圆筒状结构。如申请专利范围第2项所述之电离规，其中，所述之线状结构的栅极包括至少一个奈米碳管长线结构。如申请专利范围第2项所述之电离规，其中，所述之层状结构的栅极包括复数个奈米碳管长线结构或一个奈米碳管薄膜结构。如申请专利范围第6项所述之电离规，其中，所述之复数个奈米碳管长线结构交叉编织形成一网格状结构。如申请专利范围第6项所述之电离规，其中，所述之层状结构的栅极进一步包括一支撑体，该奈米碳管薄膜结构设置于该支撑体上，该支撑体的材料为铍、硼或碳。如申请专利范围第6项所述之电离规，其中，所述之奈米碳管薄膜结构包括至少一层奈米碳管薄膜。如申请专利范围第9项所述之电离规，其中，所述之奈米碳管薄膜包括复数个沿同一方向择优取向排列的奈米碳管。如申请专利范围第9项所述之电离规，其中，所述之奈米碳管薄膜结构包括至少两层奈米碳管薄膜，相邻两层的奈米碳管薄膜中的奈米碳管的排非列方向形成一夹角β，0°@sIMGCHAR!d10011.TIF@eIMG!β@sIMGCHAR!d10012.TIF@eIMG!90°。如申请专利范围第5项或第6项所述之电离规，其中，所述之奈米碳管长线结构包括至少一个奈米碳管长线。如申请专利范围第12项所述之电离规，其中，所述之奈米碳管长线结构为由至少两个奈米碳管长线平行无间隙设置形成的束状结构或相互缠绕形成的绞线结构。如申请专利范围第12项所述之电离规，其中，所述之奈米碳管长线为由复数个奈米碳管组成的束状结构或绞线结构，其直径为1微米－1000微米。如申请专利范围第2项所述之电离规，其中，所述之离子收集极为线状，所述线状结构的栅极以线状离子收集极为轴心螺旋环绕于该线状离子收集极的周围。如申请专利范围第2项所述之电离规，其中，所述之离子收集极为线状，所述层状结构的栅极以线状离子收集极为轴心形成一圆筒状结构。如申请专利范围第1项所述之电离规，其中，所述之阴极包括热发射阴极或场发射阴极。 |
