压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法及抑制带电处理装置

摘要

本发明系提供一种在无损害压电性之前提下，能够抑制钽酸锂单晶及铌酸锂单晶的带电之处理方法，以及能够易于实施该处理方法之处理装置。;本发明之解决方式，系将由钽酸锂单晶或铌酸锂单晶制成之晶片50，及含有碱金属化合物之还原剂60收容至处理容器2中，将该处理容器2内部之压力降低，并且将其温度保持在200℃以上1000℃以下之状态，进行晶片还原处理。

主权项

一种压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法，其特征为：将钽酸锂单晶或者铌酸锂单晶所制成之晶片，与含有碱金属化合物的还原剂一同置于处理容器内，降低该容器内之压力，及保持该容器内部之温度为200℃以上，1000℃以下之条件，进行晶片还原处理者。如申请专利范围第1项所述之压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法，其中，前述晶片系由钽酸锂单晶制成，该晶片的还原处理系在温度为200℃以上，600℃以下之条件下进行者。如申请专利范围第1项所述之压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法，其中，前述晶片之还原处理系在133x10-1~133x10-7Pa之减压条件下进行者。如申请专利范围第1项所述之压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法，其中，前述碱金属化合物系锂化合物者。如申请专利范围第1项之所述压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法，其中，前述还原剂系由碱金属化合物构成，将该还原剂与前述晶片分别放置，或者将该晶片埋入该还原剂中，进行晶片还原处理者。如申请专利范围第1项所述之压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法，其中前述还原剂系由：前述碱金属化合物在容剂中溶解，或者分散后形成之碱金属化合物溶液构成，该还原剂与前述晶片分别放置，或者将该晶片浸渍在该还原剂中，或者将该还原剂涂装于该晶片之表面，进行晶片还原处理者。一种压电性氧化物单晶之抑制带电处理装置，系由钽酸锂单晶，或者铌酸锂单晶制成之晶片，及含有碱金属化合物之还原剂，及可将其收容之处理容器，及可将该处理容器内部的温度昇温至200℃以上1000℃以下之加热方式，以及可降低该处理容器内部的压力之减压方式所构成者。