发明名称 STRUCTURES DE SCHOTTKY FORMEES PAR RECROISSANCE POUR DISPOSITIFS HEMT GAN
摘要 Les modes de réalisation comprennent, mais sans limitation, des appareils et systèmes comprenant une couche tampon (16), une couche du groupe III-V (18) au-dessus de la couche tampon (16), un contact de source (20) et un contact de drain (22) sur la couche du groupe III-V (18) et une couche de Schottky formée par recroissance (10) sur la couche du groupe III-V (18), et entre les contacts de source et de drain (20, 22). Les modes de réalisation comprennent en outre des procédés de fabrication des appareils et systèmes. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et revendiqués.
申请公布号 FR2975824(A1) 申请公布日期 2012.11.30
申请号 FR20120054652 申请日期 2012.05.22
申请人 TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 BEAM III EDWARD A.
分类号 H01L21/20;H01L21/338;H01L29/812 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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