摘要 |
Les modes de réalisation comprennent, mais sans limitation, des appareils et systèmes comprenant une couche tampon (16), une couche du groupe III-V (18) au-dessus de la couche tampon (16), un contact de source (20) et un contact de drain (22) sur la couche du groupe III-V (18) et une couche de Schottky formée par recroissance (10) sur la couche du groupe III-V (18), et entre les contacts de source et de drain (20, 22). Les modes de réalisation comprennent en outre des procédés de fabrication des appareils et systèmes. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et revendiqués.
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