CIRCUIT INTEGRE REALISE EN SOI COMPRENANT DES CELLULES ADJACENTES DE DIFFERENTS TYPES

摘要

L'invention concerne un circuit intégré (2) comprenant un substrat semi-conducteur (201), et comprenant : -une première cellule (2H) comprenant des transistors de type FDSOI et présentant chacun : -une couche isolante enterrée (203) de type UTBOX, un plan de masse et un caisson ; -une deuxième cellule (2L) adjacente à la première cellule et comprenant des transistors de type FDSOI et présentant chacun : -une couche isolante enterrée (203) de type UTBOX, un plan de masse et un caisson. Le circuit intégré comprend un circuit de polarisation configuré pour appliquer des tensions distinctes à des caissons dopés P. Un des caissons dopé P (212pL) d'un transistor de la deuxième cellule (2L) est séparé de la première cellule (2H) et du substrat semi-conducteur (201) par un caisson de séparation dopé N (21 3L, 222L).