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Plamaätzverfahren zum Ätzen einer Rückseite eines Halbleiterwafers unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung, die eine Bearbeitungskammer zum Ausführen der Plasmaätzbehandlung, einen in der Bearbeitungskammer angeordneten Spanntisch mit einem Saugabschnitt mit mehreren Sauglöchern, einen Gaseinlaßabschnitt, der dem Spanntisch zugewandt ist und über den Gas in die Bearbeitungskammer eingeleitet wird, eine Gleichspannungsversorgung zum Zuführen einer Gleichspannung zum Spanntisch, eine Hochfrequenzleistungsversorgung zum Zuführen einer Hochfrequenzleistung zum Spanntisch und zum Gaseinlaßabschnitt und einen Kühlabschnitt zum Kühlen des Spanntischs aufweist, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Anordnen des Halbleiterwafers, wobei auf eine Oberfläche des Halbleiterwafers ein Schutzband angebracht ist, mit der Schutzbandseite nach unten auf dem Spanntisch, Erzeugen einer Saugkraft an den Sauglöchern, um den Halbleiterwafer durch das Schutzband anzusaugen und zu halten; Zuführen einer elektrischen Hochfrequenzleistung in Höhe von 0,1 kW von der Hochfrequenzleistungsversorgung zum Spanntisch und zum Gaseinlaßabschnitt; Zuführen einer Gleichspannung von der Gleichspannungsversorgung zum Spanntisch und graduelles Erhöhen eines Spannungswertes der...
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