Integrierter Schaltungschip mit einer beanspruchungspuffernden Schicht, Halbleiterbauelement, Verfahren zum Schützen eines Chips und Einzelchipbaustein

摘要

Integrierter Schaltungschip, der konfiguriert ist, auf einem Träger montiert zu werden, wobei der integrierte Schaltungschip folgendes umfaßt: eine erste Oberfläche, konfiguriert zum Montieren an den Träger; einen aktiven Bereich des integrierten Schaltungschips, von der ersten Oberfläche beabstandet; ein Bondpad, über dem aktiven Bereich angeordnet und in elektrischer Kommunikation damit; und eine keramische anorganische beanspruchungspuffernde Schicht, zwischen dem aktiven Bereich und dem Bondpad angeordnet, wobei die beanspruchungspuffernde Schicht Nitride eines Elements aus den Gruppen 4–6 des Periodensystems der Elemente, Boride eines Elements aus den Gruppen 4–6 oder Karbide eines Elements aus den Gruppen 4–6 umfaßt.