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Eine Halbleiter-Speichervorrichtung (100, 200, 300, 500) weist eine Mehrzahl von auf einem Chip gebildeten Speicherbereichen (120) auf, wobei jeder der Speicherbereiche (120) eine Mehrzahl von flüchtigen Speicherzellen aufweist, die eine Dichte oder Kapazität von 2^K Bits aufweisen, wobei K eine Ganzzahl größer oder gleich 0 darstellt, und eine Mehrzahl von Eingangs-/Ausgangs-(E/A)-Anschlussvorrichtungen (E/A_1–E/A_k) zum Eingeben und Ausgeben von Daten der flüchtigen Speicherzellen aufweist und mindestens einen Randbereich (140, 540), der einen Schreib-Vorgang zum Schreiben von Daten in die Speicherbereiche (120) steuert, und einen Lese-Vorgang zum Lesen von Daten aus den Speicherbereichen (120), die auf einen Befehl und eine Adress-Eingabe von außen zurückzuführen ist, aufweist. Somit entspricht eine vollständige Dichte oder Gesamtdichte der Speicherbereiche (120) einer Nicht-Normdichte (oder ”Übergangs-”)Dichte, so dass die Halbleiter-Speichervorrichtung (100, 200, 300, 500) eine Übergangs-Dichte aufweisen kann.
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