| 发明名称 | 晶片投片方法与晶片投片装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶片投片方法，包括：获取当前可使用反应室的信息；将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；计算各制程方案对应的反应室利用率；将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片。本发明还提供一种晶片投片装置。采用本发明提供的晶片投片方法与晶片投片装置，可以提高反应室利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN102800563A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201110139479.3 | 申请日期 | 2011.05.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 范安涛;邓俊弦;陈波;钱红兵;赵晨;吕庆麟 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶片投片方法，包括：获取当前可使用反应室的信息；将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；计算各制程方案对应的反应室利用率，所述反应室利用率为完成制程方案的反应室数目与所有可使用反应室的数目的比值；将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||