半导体光学检测器结构

摘要

公开了一种具有衬底的半导体，所述衬底掺杂有衬底掺杂。在所述衬底的前侧有晶体半导体层。该晶体半导体层具有层掺杂。所述衬底掺杂在100埃的过渡区内变化到所述层掺杂。在另选实施方式中，层掺杂具有新颖的分布。在其它另选实施方式中，衬底具有位于该衬底的前侧和后侧每一个上的晶体半导体层。所述晶体半导体层中的每一个都具有各自的层掺杂，而且这些层掺杂中的每一个都在各自小于100埃厚的过渡区内变化到衬底掺杂。在本发明的还有其它实施方式中，非晶硅层位于晶体半导体层的与衬底相对的一侧上。该非晶硅层具有非晶掺杂，使得在掺杂晶体半导体层与非晶层之间形成隧道结。在低于700摄氏度下制造这些结构使得结构可以有窄的过渡区。

主权项

一种半导体结构，包括：具有衬底掺杂的半导体衬底；及具有层掺杂的掺杂晶体半导体层，该掺杂晶体半导体层在前界面处位于所述半导体衬底的前表面上，其中所述衬底掺杂在100埃的过渡区内变化到所述层掺杂。