一种二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法

摘要

本发明提供一种应用于超大规模集成电路硅衬底及层间介质全局平坦化的二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法。抛光液中含有重量百分比为10～50％的纳米二氧化硅研磨料，0.1～10％的分散剂，0.1～10％的润湿剂，0.1～10％的螯合剂，0.01～1％的pH调节剂，其余为去离子水。该抛光液是通过用表面活性剂改性，强力机械搅拌，高剪切研磨以及超声波分散等手段，克服了纳米级磨料颗粒极易絮凝、团聚问题进行制备的。由于磨料的粒度分布窄，范围可选择，抛光速率容易调控，抛光液为碱性，不腐蚀设备，损伤少、易清洗、不污染环境。可以用于超大规模集成电路硅衬底、层间电介质、浅沟槽隔离绝缘体、导体和镶嵌金属的化学机械抛光。

主权项

一种二氧化硅基CMP抛光液，其特征在于：抛光液中含有重量百分比为10～50％的纳米二氧化硅研磨料，0.1～10％的分散剂，0.1～10％的润湿剂，0.1～10％的螯合剂，0.01～1％ 的PH调节剂，其余为去离子水。