| 发明名称 | 半导体基底、半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体基底的方法，该半导体基底包括：基底；第一半导体层，布置在基底上；金属材料层，布置在第一半导体层上；第二半导体层，布置在第一半导体层和金属材料层上；腔，形成在位于金属材料层下方的第一半导体层中。 | ||
| 申请公布号 | CN102804414A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201080026251.7 | 申请日期 | 2010.06.10 |
| 申请人 | 首尔OPTO仪器股份有限公司 | 发明人 | 酒井士郎 |
| 分类号 | H01L33/12(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;薛义丹 |
| 主权项 | 一种半导体基底，所述半导体基底包括：基底；第一半导体层，布置在基底上；金属材料层，布置在第一半导体层上；第二半导体层，布置在第一半导体层和金属材料层上；腔，形成在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分处。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||