一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法

摘要

本发明公开了一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法，包括硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程与设备，所述设备主要包括二氯二氢硅DCS蒸发器和流化床反应器，把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；精馏工段一定时间内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。该方法既是一种新的TCS的制备方法，同时也解决了一个传统改良西门子法的弊端：DCS富集的问题，工艺简洁、易操作、安全、稳定。

主权项

一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法，包括硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程与设备，所述设备主要包括二氯二氢硅（DCS）蒸发器和流化床反应器，其特征在于：把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；精馏工段一定时间内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。