发明名称 |
光发射装置及使用该装置的照明设备 |
摘要 |
一种光发射装置,包括固态的光发射元件;安装有该固态的光发射元件的衬底;以及覆盖固态的光发射元件的发射表面的波长转换构件,该波长转换构件由含有荧光材料的透明树脂形成。该波长转换构件包括围绕固态的光发射元件设置的第一荧光材料层,以及设置为覆盖固态光发射元件和第一荧光材料层的第二荧光材料层,该第一荧光材料层与固态的光发射元件的上表面大体上高度相等,并且其中第二荧光材料层的荧光材料浓度高于第一荧光材料层,第一荧光材料层具有暴露且不覆盖有第二荧光材料层的横向表面。 |
申请公布号 |
CN102800784A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201210164582.8 |
申请日期 |
2012.05.24 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
久米岭 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;F21V9/10(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王琼先;王永建 |
主权项 |
一种光发射装置,包括:固态的光发射元件;安装有所述固态的光发射元件的衬底;以及覆盖所述固态的光发射元件的发射表面的波长转换构件,所述波长转换构件由含有荧光材料的透明树脂形成,其中所述波长转换构件包括围绕所述固态的光发射元件设置的第一荧光材料层,以及设置为覆盖所述固态光发射元件和所述第一荧光材料层的第二荧光材料层,所述第一荧光材料层与所述固态的光发射元件的上表面大体上高度相等,以及其中所述第二荧光材料层的荧光材料浓度高于所述第一荧光材料层,所述第一荧光材料层具有暴露且不覆盖有所述第二荧光材料层的横向表面。 |
地址 |
日本大阪府 |