发明名称 | 使用伪连接的中介层测试 | ||
摘要 | 一种互连元件包括衬底、以及穿透该衬底的有源衬底通孔(TSV)。有源金属连接件形成在衬底上,并且电连接至有源TSV。伪焊盘和伪焊料凸块中的至少一种形成在互连元件的表面上。伪焊盘位于衬底上方,并且电连接至有源TSV和有源金属连接件。伪焊料凸块位于衬底下方,并且电连接至有源金属连接件。伪焊盘和伪焊料凸块是末端开路的。本发明还提供一种使用伪连接的中介层测试。 | ||
申请公布号 | CN102800653A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
申请号 | CN201110332294.4 | 申请日期 | 2011.10.25 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陆湘台;林志贤;洪伟硕 |
分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
主权项 | 一种电路结构,包括:互连元件,包括:衬底;有源衬底通孔(TSV),穿透所述衬底;有源金属连接件,位于所述衬底上方,并且电连接至所述有源TSV;以及伪焊盘和伪焊料凸块中的至少一种,位于所述互连元件的表面上,其中,所述伪焊盘位于所述衬底上方,并且电连接至所述有源TSV和所述有源金属连接件,其中,所述伪焊料凸块位于所述衬底下方,并且电连接至所述有源金属连接件,并且其中,所述伪焊盘和所述伪焊料凸块是末端开路的。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |