发明名称 使用伪连接的中介层测试
摘要 一种互连元件包括衬底、以及穿透该衬底的有源衬底通孔(TSV)。有源金属连接件形成在衬底上,并且电连接至有源TSV。伪焊盘和伪焊料凸块中的至少一种形成在互连元件的表面上。伪焊盘位于衬底上方,并且电连接至有源TSV和有源金属连接件。伪焊料凸块位于衬底下方,并且电连接至有源金属连接件。伪焊盘和伪焊料凸块是末端开路的。本发明还提供一种使用伪连接的中介层测试。
申请公布号 CN102800653A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201110332294.4 申请日期 2011.10.25
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陆湘台;林志贤;洪伟硕
分类号 H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 陆鑫;高雪琴
主权项 一种电路结构,包括:互连元件,包括:衬底;有源衬底通孔(TSV),穿透所述衬底;有源金属连接件,位于所述衬底上方,并且电连接至所述有源TSV;以及伪焊盘和伪焊料凸块中的至少一种,位于所述互连元件的表面上,其中,所述伪焊盘位于所述衬底上方,并且电连接至所述有源TSV和所述有源金属连接件,其中,所述伪焊料凸块位于所述衬底下方,并且电连接至所述有源金属连接件,并且其中,所述伪焊盘和所述伪焊料凸块是末端开路的。
地址 中国台湾新竹