发明名称 |
一种传感器的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种传感器的制造方法,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、数据线的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形,以及透明电极的图形;通过一次构图工艺形成欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成有源层的图形;通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;通过一次构图工艺形成栅极的图形、栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。对比于现有技术,本发明方法在制造工艺上减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。 |
申请公布号 |
CN102800750A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201210262962.5 |
申请日期 |
2012.07.26 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
徐少颖;谢振宇;陈旭 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形,与漏极连接的数据线的图形,与源极连接的接收电极的图形,位于接收电极之上的光电二极管的图形,以及位于光电二极管之上的透明电极的图形;其中,所述源极和漏极相对而置形成沟道;通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形;通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上、沟道上方的栅极的图形,与栅极连接的栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |