| 发明名称 |
掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途 |
| 摘要 |
掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)生长，生长条件为：生长温度1410℃，晶体转速15～20转/分钟，拉速1.5～3毫米/小时。该晶体属于立方晶系，空间群为Fm3m，单胞参数为Z＝4，单胞体积为该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1.06μm左右波长的激光输出，并有望获得实际应用。 |
| 申请公布号 |
CN101089242B |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
| 申请号 |
CN200610091468.1 |
申请日期 |
2006.06.13 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
王国富;赵丹;林州斌;张莉珍 |
| 分类号 |
C30B29/32(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种掺钕钨酸锂镧钡激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd<sup>3+</sup>:BaLaLiWO<sub>6</sub>，属于立方晶系，空间群为Fm3m，单胞参数：<img file="FSB00000885738000011.GIF" wi="289" he="56" /><img file="FSB00000885738000012.GIF" wi="339" he="57" />Nd<sup>3+</sup>离子掺杂浓度在0.5at-15at％之间。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
