发明名称 |
半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法 |
摘要 |
本发明提供能够在低温且短时间内容易地将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法;还提供不仅能够剥离防反射膜层和抗蚀剂层这两层、还能将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法。本发明涉及半导体表面用处理剂组合物,其特征在于,该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水,根据需要还含有有机溶剂。本发明还涉及半导体表面的处理方法,其特征在于使用上述组合物。 |
申请公布号 |
CN101960388B |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN200980108005.3 |
申请日期 |
2009.03.06 |
申请人 |
和光纯药工业株式会社 |
发明人 |
水田浩德;松田修 |
分类号 |
G03F7/42(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;张志楠 |
主权项 |
一种半导体表面用处理剂组合物,其特征在于,该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水,其中,所述在水中产生氟离子的化合物选自氢氟酸与无机非金属的碱形成的盐、氢氟酸与有机碱形成的盐、季铵的氟化物盐以及氢氟酸,所述碳自由基产生剂选自偶氮腈系碳自由基产生剂、偶氮酰胺系碳自由基产生剂、链状偶氮脒系碳自由基产生剂、环状偶氮脒系碳自由基产生剂、偶氮酯系碳自由基产生剂、偶氮腈羧酸系碳自由基产生剂、偶氮烷基系碳自由基产生剂、大分子偶氮系碳自由基产生剂、苯偶姻烷基醚系碳自由基产生剂、苄基缩酮系碳自由基产生剂、二苯甲酮系碳自由基产生剂、氨基苯甲酸酯系碳自由基产生剂、1,2‑羟基烷基苯酮系碳自由基产生剂、1,2‑氨基烷基苯酮系碳自由基产生剂、酰基氧化膦系碳自由基产生剂、蒽醌系碳自由基产生剂、噻吨酮系碳自由基产生剂、吖啶酮系碳自由基产生剂、咪唑系碳自由基产生剂、肟酯系碳自由基产生剂和环戊二烯钛系碳自由基产生剂。 |
地址 |
日本大阪府 |