发明名称 | 在综合氯硅烷厂中回收利用高沸点化合物的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及热解法二氧化硅的制备方法,其特征在于冷凝由氯硅烷和氢构成的沉积多晶硅的废气,随后在蒸馏塔中分离,该蒸馏塔的底物是由0.5-20重量%的高沸点氯硅烷和99.5-80重量%的四氯化硅组成的高沸点化合物馏分,和将该高沸点化合物馏分完全蒸发,并将氯硅烷蒸汽供料到燃烧器中,在燃烧器中其在火焰中与空气或氧及氢反应以提供热解法二氧化硅。 | ||
申请公布号 | CN101378991B | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
申请号 | CN200780004005.X | 申请日期 | 2007.02.21 |
申请人 | 瓦克化学有限公司 | 发明人 | U·佩措尔德;M·尼梅茨 |
分类号 | C01B33/18(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
主权项 | 一种用于制备热解法二氧化硅的方法,其特征在于冷凝由氯硅烷和氢沉积多晶硅的废气,随后在蒸馏塔中分馏,该蒸馏塔的底物是包括0.5‑20重量%的高沸点氯硅烷和99.5‑80重量%的四氯化硅的高沸点化合物馏分,然后将该高沸点化合物馏分完全蒸发,并将氯硅烷蒸汽供料到燃烧器中,在火焰中与空气或氧及氢反应以提供热解法二氧化硅,所述高沸点氯硅烷指的是二硅烷HnCl6‑nSi2,其中n=0‑4和二硅氧烷HnCl6‑nSi2O,其中n=0‑4。 | ||
地址 | 德国慕尼黑 |