发明名称 基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电路互联方法
摘要 一种半导体技术领域的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电路互联方法,通过在晶体管阵列的衬底上制备一层绝缘层,然后在绝缘层上制备导电薄膜,再通过采用激光干涉曝光法制成导电栅后,最后用喷墨打印方式在导电栅上分别打印绝缘层刻蚀剂和导电材料制成导电过孔,实现薄膜晶体管阵列的电路连接。本发明利用激光干涉曝光实现基础高精度相互平行的金属线,同时通过喷墨打印技术则可以部分修饰金属线,更重要的是实现两层互相垂直的金属线之间的互联。
申请公布号 CN101969042B 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201010264053.6 申请日期 2010.08.27
申请人 上海交通大学 发明人 崔晴宇;郭小军;叶志成;李争光
分类号 H01L21/768(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯
主权项 一种基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电路互联方法,其特征在于,通过在晶体管阵列的衬底上制备一层绝缘层,然后在绝缘层上制备导电薄膜,再通过采用无掩模激光干涉曝光法制成导电栅后,用无掩模喷墨打印方式将腐蚀绝缘层的溶液打印在需要过孔的地方,然后经过清洗,再将可打印的导电材料打印在绝缘层已经被腐蚀的地方,退火固化后形成可靠的电气连接,实现薄膜晶体管阵列的电路连接;所述的无掩模激光干涉曝光法是指:在导电薄膜上旋涂光刻胶,然后利用激光干涉曝光,并经显影、刻蚀、去胶制成导电栅。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号