发明名称 |
激光混强场装置 |
摘要 |
激光混强场装置,包括内腔为球形结构的壳体,在壳体的球形内腔中镶嵌有若干个半导体激光器阵列,除半导体激光器陈列出射口处的壳体内壁上设置有一层耐高温全反射层,在各半导体激光器的出射口均设置有挡板,壳体的一侧开设有一面积为S1的开口,该开口上安装有内壁设置有耐高温全反射层的封闭门。本发明使入射激光经过多次反射能够产生强度均匀分布的激光场,这样无论零部件的结构简单还是复杂,零部件的不同部位都可以在激光混强场中受到均匀激光束的激光冲击,达到激光冲击强化的效果,解决了现有技术存在的问题。 |
申请公布号 |
CN102251078B |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201110139168.7 |
申请日期 |
2011.05.27 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
吴九汇;胡志平;张铁山 |
分类号 |
C21D1/09(2006.01)I;C22F3/00(2006.01)I |
主分类号 |
C21D1/09(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
激光混强场装置,其特征在于:包括内腔为球形结构的壳体(1),在壳体(1)的球形内腔中镶嵌有三个半导体激光器阵列(2、7、8),除半导体激光器阵列(2)出射口处的壳体内壁上设置有一层耐高温全反射层(3),在三个半导体激光器阵列(2、7、8)的出射口均设置有挡板(4、6、9),壳体(1)的一侧开设有一面积为S1的开口(5),该开口(5)上安装有内壁设置有耐高温全反射层(3)的封闭门;所述的耐高温全反射层采用三维光子晶体结构材料;所述的三维光子晶体结构材料通过反蛋白石光子晶体合成的方法制得,按体积比填充材料占24%,空气占76%,所述的填充材料采用折射率较大的耐高温材料砷化镓、二氧化钛或硫化镉。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |