发明名称 一种低温插层法生产氟化石墨的工艺
摘要 本发明涉及一种低温插层法生产氟化石墨的工艺。工艺如下:用五氟化锑插层石墨和氟氮混合气生产氟化石墨;氟氮混合气中氟和氮所占质量百分浓度分别为10%—30%和70%—90%;反应温度200℃—500℃,压力100KPa—300KPa。其次用氟和氮所占质量百分浓度分别为50%的氟氮混合气和锑粉直接反应制备气态五氟化锑,再将经冷却得到液态五氟化锑和膨胀石墨按1∶1.5—1∶9的质量比,投入真空容器中,并控制温度在100℃—150℃,反应12小时以上制得五氟化锑插层石墨。本发明氟化石墨收率可以达到43%—74%,生产安全;同时可以根据调节反应时间来控制氟化石墨的氟碳比,得到不同氟碳比的氟化石墨。
申请公布号 CN102491319B 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201110422011.5 申请日期 2011.12.16
申请人 江西高信科技有限公司 发明人 刘鹏;袁维金;郭勇;杨明柱;孙飞
分类号 C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人 施秀瑾
主权项 一种低温插层法生产氟化石墨的工艺,用五氟化锑插层石墨与氟氮混合气反应生产氟化石墨,其特征是所述工艺分三个步骤:第一步,用氟和氮所占质量百分浓度分别为50%的氟氮混合气和锑粉直接反应制备五氟化锑;锑粉和氟氮混合气直接反应生成气态五氟化锑,反应生成的气态五氟化锑经冷却得到液态五氟化锑;第二步,将液态五氟化锑和膨胀石墨按1:1.5—1:9的质量比,投入真空不锈钢容器中,并控制温度在100℃—150℃,反应24小时以上制得五氟化锑插层石墨;第三步,将五氟化锑插层石墨放入氟化石墨反应器,喷入氟和氮所占质量百分浓度分别为10%—30%和70%—90%的氟氮混合气,喷入流量为5m3/h—15 m3/h,控制温度在200℃—500℃,压力控制在100KPa—300KPa的环境下,反应制得氟化石墨;氟氮混合气在整个反应系统中封闭循环进入反应器。
地址 331800 江西省抚州市东乡县德政街1号