| 发明名称 | 控制衬底温度的装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在处理期间控制衬底温度的底座组件。在一个实施例中，底座组件包括耦合到金属基座的静电卡盘。静电卡盘包括至少一个卡盘电极，金属基座至少包括设置在其中的导管环，用于调控所述卡盘的温度。所述环的路径被布置来补偿穿过卡盘形成的孔洞。 | ||
| 申请公布号 | CN1945807B | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN200610150539.0 | 申请日期 | 2005.10.08 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 约翰·霍兰德;瑟多若斯·帕纳果泊洛斯 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 肖善强 |
| 主权项 | 一种衬底底座组件，包括：静电卡盘，具有至少一个设置在其中的卡盘电极；金属基座，耦合到所述静电卡盘的底表面；设置在所述静电卡盘和所述基座之间的材料层，其中，所述材料层包含多个材料区域，其中至少两个材料区域具有不同的导热系数，其中所述多个材料区域的每一个区由至少一种导热系数不同于所述材料层中的邻接区域的材料的导热系数的材料形成，其中所述邻接区域具有0.1至10W/mK的导热率差，并在所述材料层的最里面和最外面区域的导热率具有0.1至10W/mK的差别；以及设置在所述基座中的第一冷却环和第二冷却环，其中，所述第一冷却环布置在所述第二冷却环的径向外侧。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||