发明名称 |
一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法,使用两个内径不同的中空石墨坩埚,使得两个坩埚相互嵌套,其中一个石墨坩埚放置硅源,另一个石墨坩埚放置镀铁的硅片作为基底,并将两个坩埚放置在适当位置;迅速将温度升高至950摄氏度,保持温度5分钟后降低感应炉功率,使温度在数秒内下降至850摄氏度左右,继续保持5分钟后关闭电源。在硅片基底上可以得到三维纳米结构,具体为较粗的硅纳米线构成三维结构的骨架,在骨架间隙内填充有极细的硅纳米丝状物。所得材料具有较大的比表面积和牢固的三维骨架,因此在锂电池和高性能传感器中有较好的应用。 |
申请公布号 |
CN102800850A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201210274130.5 |
申请日期 |
2012.08.02 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
张亚非;钱炳建;李海蓉;苏言杰;魏浩 |
分类号 |
H01M4/38(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01M4/38(2006.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
林君如 |
主权项 |
一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法,其特征在于,该方法使用两个相互嵌套的中空石墨坩埚,分别放置硅源和镀铁的硅片基底,在1分钟内迅速将温度升高至950摄氏度,保持5分钟后调整感应炉功率使得炉内温度在数秒内降低至850摄氏度,继续保持5分钟后关闭电源并自然冷却到室温,在硅片基底上得到的黄色物即为三维硅基纳米结构。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |