发明名称 用于制备合成蒙脱石矿物质的高剪切方法
摘要 一种制备汞吸附剂材料的方法,包括:混合干粘土和干铜源以制备铜/粘土混合物;混合干粘土和干硫源以制备硫/粘土混合物;混合铜/粘土混合物和硫/粘土混合物,以形成汞吸附剂预混合物;以及对汞吸附剂预混合物施加剪切以形成汞吸附剂材料。当汞吸附剂材料含有少于4wt%的水时,汞吸附剂材料具有少于<img file="dpa00001480682600011.GIF" wi="102" he="45" />的d(001)层间距,并且汞吸附剂材料的粉末X射线衍射图基本上没有出现位于<img file="dpa00001480682600012.GIF" wi="139" he="39" /><img file="dpa00001480682600013.GIF" wi="147" he="46" />处的衍射峰,并且汞吸附剂材料的ζ-电位高于干粘土的ζ-电位。
申请公布号 CN102802763A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201080026175.X 申请日期 2010.06.07
申请人 安柯国际有限公司 发明人 Z·王
分类号 B01D53/02(2006.01)I;B01D53/64(2006.01)I;B01D53/86(2006.01)I;B01D53/04(2006.01)I 主分类号 B01D53/02(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 项丹
主权项 1.一种制备汞吸附剂材料的方法,该方法包括:混合铜/粘土混合物和硫/粘土混合物以形成汞吸附剂预混合物,其中,所述铜/粘土混合物包含粘土和铜盐,所述硫/粘土混合物包含粘土和硫源,以及剪切所述汞吸附剂预混合物以形成汞吸附剂材料;其中,当汞吸附剂材料含有少于4重量%的水时,汞吸附剂材料具有小于<img file="FPA00001480682800011.GIF" wi="108" he="48" />的d(001)层间距,所述汞吸附剂材料的粉末X射线衍射图基本上没有出现位于<img file="FPA00001480682800012.GIF" wi="350" he="50" />处的衍射峰,并且所述汞吸附剂材料的ζ-电位高于干粘土的ζ-电位。
地址 美国伊利诺伊州