发明名称 半导体装置
摘要 本发明的一个实施例的目的在于提供一种在数据存储期间中即使当没有电力供给时也可以存储所存储数据且对写入次数没有制限的新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括:包含使用氧化物半导体以外的半导体材料的第一沟道形成区域的第一晶体管;包含使用氧化物半导体材料的第二沟道形成区域的第二晶体管;以及电容器,其中,第二晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个与电容器的一个电极电连接。
申请公布号 CN102804360A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201080059256.X 申请日期 2010.12.03
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;小山润;加藤清
分类号 H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I 主分类号 H01L21/8242(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 叶晓勇;朱海煜
主权项 一种半导体装置,包括:第一晶体管,该第一晶体管包括:包括氧化物半导体以外的半导体材料的第一沟道形成区域;以夹着所述第一沟道形成区域的方式设置的一对杂质区域;所述第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层;所述第一栅极绝缘层上的第一栅电极;以及电连接到所述一对杂质区域中的一个的第一源电极及电连接到所述一对杂质区域中的另一个的第一漏电极;第二晶体管,该第二晶体管包括:所述第一晶体管上的第二源电极及第二漏电极;包括氧化物半导体材料并且电连接到所述第二源电极及所述第二漏电极的第二沟道形成区域;所述第二沟道形成区域上的第二栅极绝缘层;以及所述第二栅极绝缘层上的第二栅电极;以及电容器,其中,所述第二晶体管的所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个与所述电容器的一个电极彼此电连接。
地址 日本神奈川县厚木市