发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件及其制造方法。其中,该方法包括:提供半导体层,所述半导体层形成于绝缘层上;在所述半导体层上形成掩膜图形,所述掩膜图形暴露部分区域的所述半导体层;将暴露区域的所述半导体层去除确定高度,以形成凹槽;在所述掩膜图形和所述凹槽中形成栅堆叠;去除所述掩膜图形,以暴露所述栅堆叠的部分侧壁。既利于满足对SOI厚度的精度要求,相对于具有相同的栅堆叠处SOI厚度的器件,还可以相应地增加源漏区的厚度,利于降低源漏区的寄生电阻。 |
申请公布号 |
CN102800620A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201110137573.5 |
申请日期 |
2011.05.24 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京市立方律师事务所 11330 |
代理人 |
张磊 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体层,所述半导体层形成于绝缘层上;在所述半导体层上形成掩膜图形,所述掩膜图形暴露部分区域的所述半导体层;将暴露区域的所述半导体层去除确定高度,以形成凹槽;在所述掩膜图形和所述凹槽中形成栅堆叠;去除所述掩膜图形,以暴露所述栅堆叠的部分侧壁。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |