一种新型LTCC低频介质陶瓷电容器材料

摘要

本发明公开了一种新型LTCC低频介质陶瓷电容器材料，原料组分及其摩尔百分比含量为63~98mol% BaTiO3+1~23mol%金属氧化物+1~14mol%二次添加剂；所述金属氧化物为aNb2O5+bCo3O4+cWO3+dMnCO3+eBi2O3+fRe2O3+gCuO其中的一种或者几种，其摩尔百分比为：0≤a≤5,0≤b≤3,0≤c≤1.5,0≤d≤4,0≤e≤7,0≤f≤1,0≤g≤1.5；式中Re2O3为镧系元素的稀土氧化物；所述二次添加剂为hLiF+iSiO2+j ZnO+kCaF2+lP2O5+m CaO+nBaO+oB2O3其中的一种或者几种，其摩尔百分比为：0≤h≤1,0≤i≤1,0≤j≤2,0≤k≤2,0≤l≤2,0≤m≤2,0≤n≤2,0≤o≤2。本发明提供了一种烧结温度低（850℃~950℃）、介电常数高（室温25℃为3000左右）、介电损耗低（室温25℃为0.7%），并能与高电导率的银或铜金属内电极共烧的满足国际电子工业协会EIAX7R标准的低频介质陶瓷电容器材料。

主权项

一种新型LTCC低频介质陶瓷电容器材料，原料组分及其摩尔百分比含量为63~98mol% BaTiO3+1~23mol%金属氧化物+1～14mol%二次添加剂；所述金属氧化物的原料组分为aNb2O5+bCo3O4+cWO3+dMnCO3+eBi2O3+fRe2O3+gCuO其中的一种或者几种，其摩尔百分比含量范围为：0≤a≤5,0≤b≤3,0≤c≤1.5,0≤d≤4,0≤e≤7,0≤f≤1,0≤g≤1.5；式中Re2O3为镧系元素的稀土氧化物La2O3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Dy2O3、Er2O3、Yb2O3或者CeO2；所述二次添加剂的原料组分为hLiF+iSiO2+j ZnO+kCaF2+lP2O5+m CaO+nBaO+oB2O3其中的一种或者几种，其摩尔百分比含量范围为：0≤h≤1,0≤i≤1,0≤j≤2,0≤k≤2,0≤l≤2,0≤m≤2,0≤n≤2,0≤o≤2。上述的一种新型LTCC低频介质陶瓷电容器材料的制备方法，具有如下步骤：（1）在钛酸钡BaTiO3粉体材料中，按上述化学计量比添加金属氧化物和稀土氧化物的一种或者几种进行混合，以水为介质球磨4～20小时，70～120℃烘干，再于1000～1200℃煅烧，保温4～20小时，自然冷却；（2）将步骤（1）的混合材料按配方比例加入二次添加剂的一种或者几种进行混合，以水为介质球磨4～20小时；再于70～120℃烘干，过80目筛，得到陶瓷粉末；（3）在步骤（2）的陶瓷粉末中，外加质量百分比为5～8%的石蜡或者PVA，造粒；再压制成生坯，于850℃～950℃烧结，保温4～20小时，冷却后制得新型LTCC低频介质陶瓷电容器材料。