硅单晶的生长方法

摘要

本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：把装有熔体的坩埚的旋转速度作为Vc，所述硅单晶的旋转速度作为Vs时，用满足3≤Ln[Vs/Vc]≤5的条件使硅单晶生长。

主权项

一种硅单晶生长方法，是通过切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，其特征在于，在沿平行于硅单晶的径向的轴测定温度梯度时，把硅熔体的最大轴向温度梯度作为ΔTmax，所述硅熔体的最小轴向温度梯度作为ΔTmin，所述轴向温度梯度是所述硅熔体的垂直方向的平均温度梯度，其中，所述硅单晶在所述硅熔体具有下述表达式所确定的轴向温度梯度的情况下进行生长：{(ΔTmax‑ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10；以及把装有硅熔体的坩埚的旋转速度作为Vc，所述硅单晶的旋转速度作为Vs时，所述硅单晶用满足下述表达式的条件生长：3≤Ln[Vs/Vc]≤5。