高频用高介电常数陶瓷

摘要

本发明的高频用高介电常数陶瓷，它的成分及其摩尔百分比含量为：La2O3或Nd2O3或Sm2O3：50.0～66.67，SrO或CaO：0.0～16.67，NiO：33.33。该高介电常数陶瓷在3～100MHz的频率下其介电常数达到50,000以上，介电损耗在0.1以下。利用本发明提供的高频用高介电常数陶瓷，可使电容器和存储器等元器件适合更高频率应用，同时由于其极高的介电常数，这也有利于这些元器件的集成化。

主权项

高频用高介电常数陶瓷，其特征在于它的成分及其摩尔百分比含量为：La2O3或Nd2O3或Sm2O3        50.0～66.67SrO或CaO                   0.0～16.67NiO                        33.33；其制备步骤如下：首先，将纯度为99％以上的La2O3或Nd2O3或Sm2O3、SrCO3或CaCO3及NiO按一定的比例用湿式球磨法混合24小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在温度为1150～1200℃，气氛为空气的条件下预烧3小时得到所需的陶瓷粉末，随后在预烧粉末中添加5～15％的聚乙烯醇溶液作为粘结剂造粒后，通过单轴压力成形在30MPa下制备出直径为12mm、厚度为1～2mm的陶瓷坯体，先在600℃温度下排出粘结剂，最后在温度为1350～1450℃，气氛为空气的条件下烧结得到所需的高频用高介电常数陶瓷。