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发明名称 HAFNIUM SILICIDE TARGET FOR FORMING GATE OXIDE FILM AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
摘要
申请公布号 EP1408541(B1) 申请公布日期 2012.11.28
申请号 EP20020733313 申请日期 2002.06.05
申请人 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION 发明人 IRUMATA, SHUICHI;SUZUKI, RYO
分类号 H01L21/336;C22C27/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/316;H01L29/51;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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