发明名称 |
浅沟槽隔离技术研磨工艺的监测方法 |
摘要 |
本发明公开了一种浅沟槽隔离技术研磨工艺的监测方法,该方法通过首先在产品研磨前,采用监控硅片定期进行研磨监控;接着从所述监控硅片上的位于不同梯度中的与有源区类似的区域的损伤状况来预测产品可能将要受到的研磨影响;并根据上述预测,人为地干预并及时修正研磨机台,以确保研磨制程的精确控制;由于本发明提供的所述监控硅片上具有一系列图形密度不同的梯度分布的图案,其图形密度范围涵盖各种正常产品的情况,从而可得到与实际产品图形排布相近似的硅片的各区域的研磨速率漂移情况,以准确地预测产品可能将要受到的研磨影响,以便及时调整工艺制程,确保制程的稳定性,将永久性致命性损伤减少到最低。 |
申请公布号 |
CN102794699A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201210335542.5 |
申请日期 |
2012.09.11 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
王哲;文静;张旭升;张传民 |
分类号 |
B24B37/005(2012.01)I |
主分类号 |
B24B37/005(2012.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种浅沟槽隔离技术研磨工艺的监测方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:在产品研磨前,采用监控硅片定期进行研磨监控,其中,所述监控硅片上具有一系列图形密度不同的梯度分布的图案,其图形密度范围涵盖各种正常产品的情况;从所述监控硅片上的位于不同梯度中的与有源区类似的区域的损伤状况来预测产品可能将要受到的研磨影响;根据上述预测,人为地干预并及时修正研磨机台,以确保研磨制程的精确控制。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |