用于制造半导体材料薄片的分子束外延装置

摘要

本发明涉及一种用于制造半导体材料薄片的分子束外延装置，该装置包括包围加工区域(2)的生长室(1)、至少具有侧部(10)的主低温面板(所述侧部(10)覆盖生长室(1)的侧壁(3)的内表面)、样品保持件(6)、能够使材料蒸发的至少一个喷射室(8)、能够将气态先质注入生长室(1)的气体注射器(9)、连接至生长室(1)并能够提供高真空性能的抽吸装置(11)。根据本发明，分子束外延装置包括隔离罩(14)，所述隔离罩(14)至少覆盖生长室壁(3、4、5)的内表面并且包括冷部和热部，所述冷部具有低于或等于气态先质的熔点的温度Tmin，所述热部具有高于或等于某一温度的温度Tmax，在所述某一温度下气态先质在所述热部上的解吸附率比所述气态先质的吸附率至少大1000倍。

主权项

一种用于制造半导体材料薄片的分子束外延装置，所述装置包括由一层材料覆盖的基片，所述装置还包括：包围加工区域(2)的生长室(1)，所述生长室(1)包括各自具有内表面的侧壁(3)、底壁(4)以及上壁(5)，至少具有侧部(10)的主低温面板，所述侧部覆盖所述侧壁(3)的内表面，能够支承所述基片的样品保持件(6)，所述样品保持件(6)包括加热装置，能够使元素或化合物的原子或分子蒸发的至少一个喷射室(8)，能够将气态先质注入生长室(1)的气体注射器(9)，所述气态先质的一部分能够与蒸发的元素或化合物的原子或分子在基片的表面上反应以形成覆层，连接至生长室(1)并能够提供高真空性能的抽吸装置(11)，其特征在于，该装置包括：隔离罩(14)，所述隔离罩(14)至少覆盖生长室壁(3、4、5)的内表面，所述隔离罩(14)包括冷部和热部，所述冷部具有低于或等于气态先质的熔点的温度Tmin，所述热部具有高于或等于某一温度的温度Tmax，在所述某一温度下所述气态先质在所述热部上的解吸附率比所述气态先质的吸附率至少大1000倍。