发明名称 |
制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置 |
摘要 |
本发明公开了一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及装置。该方法包括以下步骤:置放基板于等离子蚀刻装置内,其中该等离子蚀刻装置包括一上电极板及一下电极板;持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板;以及间断地提供一偏压射频电力至该下电极板。当该偏压射频电力被切换至关状态时,大量二次电子会通过主体等离子且到达该基板而与正离子中和。 |
申请公布号 |
CN102800551A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201110266496.3 |
申请日期 |
2011.09.09 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
吴常明;陈逸男;刘献文 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张龙哺;冯志云 |
主权项 |
一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法,其特征在于,包括以下步骤:形成一光罩于一基板上,其中该光罩具有一图案;置放该基板及光罩于一等离子蚀刻装置内,其中该等离子蚀刻装置包括一处理室、一上电极板及一下电极板,该上电极板及该下电极板位于该处理室内,且该下电极板包括一夹具,用以夹持该基板;导入一处理气体至该处理室中;在等离子蚀刻工艺中,持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板;以及提供一偏压射频电力至该下电极板,以在该处理室内产生等离子而得以根据该光罩的图案蚀刻该基板,其中,在等离子蚀刻工艺中,该偏压射频电力间断地提供。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |