发明名称 | 利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法,其包括步骤:1)在预先给定频率的电磁波内确定待测介质折射率的实部,并把该待测介质定义为光疏介质;2)寻找一个折射率已知并且折射率实部大于待测介质的折射率实部的光密介质,并把光密介质和待测介质构成全反射系统;3)用预先给定频率的电磁波从光密介质向待测介质入射,并调节入射角度,使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射,并在待测介质内部产生倏逝波;4)在待测介质中选择一个测量点,测量倏逝波相位的变化;并根据倏逝波相位的变化来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行,还可实现超高精度的测量。 | ||
申请公布号 | CN102798764A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
申请号 | CN201110139419.1 | 申请日期 | 2011.05.26 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 蒋寻涯;李伟 |
分类号 | G01R27/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R27/26(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
主权项 | 一种利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法,其特征在于包括步骤:1)在预先给定频率的电磁波内确定待测介质折射率的实部,并把该待测介质定义为光疏介质;2)寻找一个折射率已知并且折射率实部大于待测介质的折射率实部的光密介质,并把光密介质和待测介质的位置排列构成“光密介质‑光疏介质”全反射系统;3)用预先给定频率的电磁波从光密介质向待测介质入射,并调节入射角度,使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射,并在待测介质内部产生倏逝波;4)在待测介质中选择一个测量点,测量倏逝波相位的变化;并根据倏逝波相位的变化来计算待测介质折射率的虚部,即获得介质损耗。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |