| 发明名称 | 多晶硅栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种多晶硅栅极的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行化学机械抛光；通过刻蚀工艺图案化所述多晶硅薄膜，以形成多晶硅栅极。通过对多晶硅薄膜进行化学机械抛光，使多晶硅薄膜的表面更平滑，而后对其进行图案化，这样使刻蚀工艺在具有更平滑的多晶硅薄膜表面进行，使刻蚀工艺更的控制更精确，从而改善多晶硅栅极的形貌，提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102800574A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201110138214.1 | 申请日期 | 2011.05.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 熊文娟;李俊峰;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅极的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行化学机械抛光；通过刻蚀工艺图案化所述多晶硅薄膜，以形成多晶硅栅极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||