发明名称 |
闪存卡管理系统及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种闪存卡管理系统,包括配置参数存储单元,存储闪存卡的读写配置参数;信息处理单元分别与配置参数存储单元、闪存卡连接,提取配置参数存储单元所存储的闪存卡的读写配置参数,对闪存卡进行读写类型配置,依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。本发明还公开了一种闪存卡管理方法包括步骤:步骤S1、根据闪存卡的读写配置参数对闪存卡进行读写类型配置;步骤S2、对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。本发明大大提高了闪存卡的读写速度或安全性。 |
申请公布号 |
CN101655776B |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN200810145888.2 |
申请日期 |
2008.08.18 |
申请人 |
深圳市朗科科技股份有限公司 |
发明人 |
陈明航;陈西发 |
分类号 |
G06F3/08(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 |
代理人 |
胡海国;王艳春 |
主权项 |
一种闪存卡管理系统,包括至少两个闪存卡,其特征在于,还包括:配置参数存储单元,存储闪存卡的读写配置参数;信息处理单元分别与配置参数存储单元、闪存卡连接,提取配置参数存储单元所存储的闪存卡的读写配置参数,对闪存卡进行读写类型配置,依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写;其中,所述读写类型包括独立冗余磁盘阵列级别0、独立冗余磁盘阵列级别1、独立冗余磁盘阵列级别2、独立冗余磁盘阵列级别3、独立冗余磁盘阵列级别4、独立冗余磁盘阵列级别5、独立冗余磁盘阵列级别6、独立冗余磁盘阵列级别0和独立冗余磁盘阵列级别1的组合或独立冗余磁盘阵列级别3和独立冗余磁盘阵列级别5的组合。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新区中国科技开发院孵化大楼6楼 |