发明名称 闪存卡管理系统及方法
摘要 本发明公开了一种闪存卡管理系统,包括配置参数存储单元,存储闪存卡的读写配置参数;信息处理单元分别与配置参数存储单元、闪存卡连接,提取配置参数存储单元所存储的闪存卡的读写配置参数,对闪存卡进行读写类型配置,依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。本发明还公开了一种闪存卡管理方法包括步骤:步骤S1、根据闪存卡的读写配置参数对闪存卡进行读写类型配置;步骤S2、对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。本发明大大提高了闪存卡的读写速度或安全性。
申请公布号 CN101655776B 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN200810145888.2 申请日期 2008.08.18
申请人 深圳市朗科科技股份有限公司 发明人 陈明航;陈西发
分类号 G06F3/08(2006.01)I 主分类号 G06F3/08(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人 胡海国;王艳春
主权项 一种闪存卡管理系统,包括至少两个闪存卡,其特征在于,还包括:配置参数存储单元,存储闪存卡的读写配置参数;信息处理单元分别与配置参数存储单元、闪存卡连接,提取配置参数存储单元所存储的闪存卡的读写配置参数,对闪存卡进行读写类型配置,依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写;其中,所述读写类型包括独立冗余磁盘阵列级别0、独立冗余磁盘阵列级别1、独立冗余磁盘阵列级别2、独立冗余磁盘阵列级别3、独立冗余磁盘阵列级别4、独立冗余磁盘阵列级别5、独立冗余磁盘阵列级别6、独立冗余磁盘阵列级别0和独立冗余磁盘阵列级别1的组合或独立冗余磁盘阵列级别3和独立冗余磁盘阵列级别5的组合。
地址 518057 广东省深圳市南山区高新区中国科技开发院孵化大楼6楼