光栅的制作方法

摘要

本发明提供了一种光栅的制作方法，采用双沟槽刻蚀方法，在三层薄膜图形逐层传递技术的基础上，进行两次曝光和刻蚀，从而形成间距较小的光栅。

主权项

一种光栅的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成刻蚀终止层、光栅层、第二阻挡层、第一阻挡层和第一光阻胶层；将光罩上的光栅图形转移到第一光阻胶层上，在第一光阻胶层的表面形成图案化的第一光阻胶层；所述光罩上的光栅图形具有预定的间距、线宽和空间宽度；以图案化的第一光阻胶层为掩膜，刻蚀第一阻挡层，缩小第一阻挡层的开口宽度与光栅的空间宽度相同；其中，刻蚀第一阻挡层的气体包括四氟化碳CF4和三氟甲烷CHF3，且CF4和CHF3的比例为1：4；以刻蚀后的第一阻挡层为掩膜，依次刻蚀第二阻挡层和光栅层，刻蚀在刻蚀终止层停止；去除第一光阻胶层、第一阻挡层和第二阻挡层后，在光栅层的表面依次形成第四阻挡层、第三阻挡层和第二光阻胶层；将所述光罩在水平方向上偏移光罩光栅图形间距的一半的距离，将光罩上的光栅图形转移到第二光阻胶层上，在第二光阻胶层的表面形成图案化的第二光阻胶层；以图案化的第二光阻胶层为掩膜，刻蚀第三阻挡层，缩小第三阻挡层的开口宽度与光栅的空间宽度相同；其中，刻蚀第三阻挡层的气体包括CF4和CHF3，且CF4和CHF3的比例为1：4；以刻蚀后的第三阻挡层为掩膜，依次刻蚀第四阻挡层和光栅层，刻蚀在刻蚀终止层停止；去除第二光阻胶层、第三阻挡层和第四阻挡层，形成光栅。