静电放电保护电路以及集成电路

摘要

本发明提供了一种集成电路，包含：基垫单元，内部电路，以及静电放电保护电路。其中，基垫单元耦接于第一节点，用于接收或传输信号；内部电路耦接于第一节点，用于处理信号；以及静电放电保护电路，包含：静电放电箝位电路，耦接于第一节点，用于箝位流经第一节点的静电放电电流；第一限流分流单元，通过第一节点耦接于基垫单元，用于限制静电放电电流并分流部分静电放电电流到第一电压通路；以及第二限流分流单元，耦接于第一限流分流单元，用于限制静电放电电流并分流部分静电放电电流到第二电压通路。本发明提供的集成电路，通过限制静电放电电流流经内部电路，可以避免过载的静电放电电流损坏集成电路，同时也不会增大集成电路的尺寸。

主权项

一种集成电路，包含：基垫单元，耦接于第一节点，用于接收或传输信号；内部电路，耦接于所述第一节点，用于处理所述信号；以及静电放电保护电路，包含：静电放电箝位电路，耦接于所述第一节点，用于箝位流经所述第一节点的静电放电电流；第一限流分流单元，通过所述第一节点耦接于所述基垫单元，用于限制所述静电放电电流并分流部分所述静电放电电流到电平为Vdd的电压通路；以及第二限流分流单元，耦接于所述第一限流分流单元，用于限制所述静电放电电流并分流部分所述静电放电电流到电平为Vss的电压通路；所述第一限流分流单元包含：第一扩散电阻，用于限制所述静电放电电流；以及第一寄生二极管，用于分流部分所述静电放电电流到所述电平为Vdd的电压通路；所述第一限流分流单元是一个第一金属氧化物半导体晶体管，所述第一金属氧化物半导体晶体管的第一漏极包含：第一触头，耦接于所述第一节点，第二触头，耦接于第二节点，所述第二节点位于所述第一限流分流单元与所述第二限流分流单元之间，以及第一电阻区，形成于所述第一触头及所述第二触头之间，作为所述第一扩散电阻。