| 发明名称 | 对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法，该方法包括：将测试探针接触晶圆上的半导体器件的压焊建立电学连接并进行初始测试；按照设置的老化测试规则通过测试探针对晶圆上的各个半导体器件施加电压应力，分别进行监控测试；判断测得的晶圆上的各个半导体器件的相关的电学参数是否符合所设置的对应老化判断标准，确定符合的晶圆为好且老化等级为判断标准；确定不符合的晶圆失效。本发明提供的方法降低了半导体器件的测试成本及提高半导体器件的测试效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102081138B | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN200910200020.2 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张晓东;郑勇;刘晓虎;赵步青 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法，该方法包括：将测试探针接触晶圆上的半导体器件的压焊建立电学连接并进行初始测试；按照设置的老化测试规则通过测试探针对晶圆上的各个半导体器件施加电压应力，分别进行监控测试；判断测得的晶圆上的各个半导体器件的相关的电学参数是否符合所设置的对应老化判断标准，确定符合的晶圆为好且老化等级符合对应老化判断标准；确定不符合的晶圆失效。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||