发明名称 |
存储元件和存储设备 |
摘要 |
本发明提供了一种存储元件和存储装置。其中,该存储元件包括:存储层,具有垂直于其膜面的磁化,并通过磁性物质的磁化状态保持信息;磁化钉扎层,具有被用作存储在存储层中的信息的基准的、垂直于其膜面的磁化;非磁性物质中间层,设置在存储层和磁化钉扎层之间;以及帽层,设置在存储层附近并且与中间层相反的一侧,并且包括至少两个氧化物层。该存储元件被配置为,通过使用在包括存储层、中间层和磁化钉扎层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化从而存储信息。 |
申请公布号 |
CN102800803A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201210152403.9 |
申请日期 |
2012.05.16 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;山根一阳 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种存储元件,包括:存储层,具有垂直于其膜面的磁化,并通过磁性物质的磁化状态保持信息;磁化钉扎层,具有被用作存储在所述存储层中的信息的基准的、垂直于其膜面的磁化;非磁性物质中间层,设置在所述存储层和所述磁化钉扎层之间;以及帽层,设置为与所述存储层相邻并且设置在与所述中间层相反的一侧,并且包括至少两个氧化物层,其中,所述存储元件被配置为,通过使用在包括所述存储层、所述中间层和所述磁化钉扎层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转来反转所述存储层的所述磁化从而存储信息。 |
地址 |
日本东京 |