| 发明名称 | 一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm-Co基永磁薄膜之间是缓冲层，所述的Sm-Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。与现有技术中所采用的铬作为缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜相比，本发明提供的具有钨缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜具有薄膜质量好，与基底材料表面的附着力强，经过800℃高温退火处理后，薄膜不脱落，具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN102800457A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210200142.3 | 申请日期 | 2012.06.14 |
| 申请人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明人 | 张昀;张健;刘平;闫阿儒 |
| 分类号 | H01F10/16(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 一种基底材料表面的Sm‑Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm‑Co基永磁薄膜之间是缓冲层，其特征是：所述的Sm‑Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。 | ||
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 | ||