| 发明名称 | 一种制造半导体薄膜的方法及其半导体薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种制造半导体薄膜的方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成氮化镓层；在氮化镓层上形成铝镓氮层，并使铝镓氮层中铝的含量从靠近氮化镓层的部分到远离氮化镓层的部分线性变化。本发明的实施例的半导体薄膜中，通过氮化镓和氮化铝的自极化效应及其极化强度的差异，可以构建出内部极化电场，该极化电场还可以将衬底内的载流子吸入电场，从而实现超高载流子浓度的掺杂。此方法操作可控，简单易行，可重复性好，可以实现超高载流子浓度的掺杂。并且其载流子浓度不受温度影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102800571A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210326578.7 | 申请日期 | 2012.09.06 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 李世彬;肖战菲;蒋亚东;吴志明 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 谭新民 |
| 主权项 | 一种制造半导体薄膜的方法，其特征在于，包括：获取基底材料；在所述基底材料上形成氮化镓层；掺杂步骤：在所述氮化镓层上形成铝镓氮层，并使所述铝镓氮层中铝的含量从靠近所述氮化镓层的部分中到远离所述氮化镓层的部分中线性变化。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||