形成栓塞结构、半导体器件的方法

摘要

一种形成栓塞结构、半导体器件的方法，形成栓塞结构的方法包括：提供基底，在基底上形成有具有第一栓塞的第一介质层；在第一介质层和第一栓塞组成的表面上形成具有通孔的第二介质层，通孔底部暴露出第一栓塞；利用无电解镀方法在通孔内形成表面高出第一栓塞顶面的第一导电层；在通孔内形成第二导电层，覆盖第一导电层，且第二导电层的表面与第二介质层的表面相平，第一导电层和第二导电层构成第二栓塞，栓塞结构包括第一栓塞和第二栓塞。本技术方案可以减少第一栓塞和第二栓塞之间的接触电阻。

主权项

一种形成栓塞结构的方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有具有第一栓塞的第一介质层；在所述第一介质层和第一栓塞组成的表面上形成具有通孔的第二介质层，所述通孔底部暴露出所述第一栓塞；利用无电解镀方法在所述通孔内形成表面高出第一栓塞顶面的第一导电层；在所述通孔内形成第二导电层，覆盖所述第一导电层，且所述第二导电层的表面与所述第二介质层的表面相平，所述第一导电层和第二导电层构成第二栓塞，所述栓塞结构包括所述第一栓塞和第二栓塞。