| 发明名称 | 提高制程能力的方法 | ||
| 摘要 | 一种提高制程能力的方法，包括：选择关联测试点；获取所述关联测试点的栅氧化层厚度，并根据所述栅氧化层厚度估计对应的阈值电压；根据所估计的阈值电压，选择对应的轻掺杂漏区(LDD)离子浓度进行离子注入；反复进行阈值电压估计步骤及离子注入步骤，直至所述阈值电压趋于正态分布。本发明通过当前测量的栅氧化层厚度对离子注入的浓度进行调整，使得各批次间的阈值电压趋于正态分布，从而减小标准偏差，以及提高制程能力，避免了重新设计制程流程，节省了大量的人力和时间，并提高了生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102800607A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210312811.6 | 申请日期 | 2012.08.29 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孔秋东;简中祥 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种提高制程能力的方法，其特征在于，包括：选择关联测试点；获取所述关联测试点的栅氧化层厚度，并根据所述栅氧化层厚度估计对应的阈值电压；根据所估计的阈值电压，选择对应的轻掺杂漏区离子浓度进行离子注入；反复进行阈值电压估计步骤及离子注入步骤，直至所述阈值电压趋于正态分布。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||