太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池及其制作方法。太阳能电池的基底具有重掺杂区与轻掺杂区。阳极与阴极均设置于基底的背面，因此，可增加基底的正面的入光量。阳极与阴极与重掺杂区接触而形成选择性射极结构，因此具有较低的接触电阻。另外，未与电极接触的轻掺杂区具有较低的饱和电流，因此，可减少电子-空穴对的复合，同时并可增加对于红外线的吸收。本发明的太阳能电池为具有选择性射极结构的交指背电极太阳能电池，其中电极与基底的重掺杂区接触，因此具有较低的接触电阻，而未与电极接触的轻掺杂区具有较低的饱和电流，因此可减少电子-空穴对的复合，同时并可增加对于红外线的吸收，而可增加光电转换效率。

主权项

一种制作太阳能电池的方法，其特征在于，包括：提供一基底，其中该基底具有一第一表面与一第二表面，且该第一表面相对于该第二表面；形成一第一图案化掺杂堆栈结构于该基底的该第二表面上并暴露出该基板的部份该第二表面，以形成至少一第一遮蔽区与至少一第一暴露区，其中该第一暴露区具有一第一尺寸，该第一图案化掺杂堆栈结构包括相互堆栈的一第一介电层、一第一掺杂层与一第二介电层，该第一掺杂层包括多个具有一第一掺杂类型的第一掺质，该第一掺杂层系设置于该第一介电层与该第二介电层之间，该第一介电层具有一缺口，且该第一掺杂层经由该缺口与该基底的该第二表面接触；形成且覆盖一第二掺杂层于该第一图案化掺杂堆栈结构与该基底的该第二表面上，其中该第二掺杂层接触该第一暴露区所暴露出的该第二表面，该第二掺杂层包括多个具有一第二掺杂类型的第二掺质，且该第一掺杂类型相反于该第二掺杂类型；进行一扩散工艺，将该第一掺杂层的该等第一掺质驱入该基底的该第二表面内以于该第一遮蔽区中形成一第一轻掺杂区与一第一重掺杂区，以及将该第二掺杂层的该等第二掺质驱入该基底的该第二表面内以于至少一部份该第一暴露区中形成一第二重掺杂区；移除部分的该第一图案化掺杂堆栈结构以形成暴露出该第一重掺杂区的一第一接触洞，以及移除部分的该第二掺杂层以形成暴露出该第二重掺杂区的一第二接触洞；以及于该第一接触洞内形成一与该第一重掺杂区电性连接的第一电极，以及于该第二接触洞内形成一与该第二重掺杂区电性连接的第二电极。