可变电阻元件的成型处理方法和非易失性半导体存储装置

摘要

本发明涉及可变电阻元件的成型处理方法和非易失性半导体存储装置。提供了一种能在与脉冲成型相同程度的短时间内将切换动作时的重写电流抑制为DC成型中所达到的重写电流程度的可变电阻元件的成型处理方法。向可变电阻元件施加电压脉冲使处于刚制造之后的初始高电阻状态的可变电阻元件向能进行切换动作的可变电阻状态变化的成型处理包含以下步骤而形成：第一步骤，在可变电阻元件的两电极间施加电压振幅比可变电阻元件进行低电阻化的阈值电压低的第一脉冲；以及第二步骤，在第一步骤之后，在可变电阻元件的两电极间施加与该第一脉冲相同极性且电压振幅在阈值电压以上的第二脉冲。

主权项

一种成型处理方法，对具备由金属氧化物构成的可变电阻体、以及夹持所述可变电阻体的第一电极和第二电极的可变电阻元件进行成型处理，其中，所述可变电阻元件利用所述成型处理使所述第一和第二电极间的电阻状态从初始高电阻状态起进行低电阻化，向能利用电压的施加在两个以上不同的电阻状态间转变的可变电阻状态变化，所述可变电阻元件能在所述可变电阻状态下非易失地保持所述电阻状态，所述成型处理包含：第一步骤，在所述可变电阻元件的所述第一和第二电极间施加电压振幅比所述可变电阻元件进行低电阻化的阈值电压低的第一脉冲；以及第二步骤，在所述第一步骤之后，在所述可变电阻元件的所述第一和第二电极间施加与所述第一脉冲相同极性且电压振幅在所述阈值电压以上的第二脉冲。